崔积适，北京大学博士，现任三明学院信息工程学院副教授、硕导、副院长，学校人才办主任，引进生党支部副书记。自入职以来，崔积适博士尽职尽责，用行动谱写了一首奉献之歌。
一．研究领域
1.半导体材料的生长、纳米结构的制备及特性表征：
半导体晶体（主要为宽禁带半导体）材料的外延生长、纳米结构的制备，特性表征及应用研究；
2.硅基光电子器件的设计与测试
硅基光电探测器、电光调制器、光栅、混频器的设计及测试；
3.硅基集成光电通信芯片的设计、测试与封装
面向光互连（1310nm）与光通信（1550nm）的高速硅基光电集成芯片的设计与测试；
二．科研项目
参与基金项目：
1.国家自然科学基金面上项目：具有纳米空腔的大面积柔性GaN基LED的制备及特性研究，2014.01-2017.12， 80万；
2.国家自然科学基金重点项目：基于硅基芯片的超大容量光通信关键技术研究 ，2016.01-2020.12， 300万； 3.国家自然科学基金面上项目：基于硅基混合表面等离子体波导的纳米聚焦及非线性研究， 2018.01-2021.12, 69万；
主持基金项目：
1.国家重点实验室开放基金：高性能硅基光电探测器的研究，2019GZKF4，2019.01-2020.12, 6万；
2.三明学院引高项目：硅基集成全硅长波长吸收光电探测器的研究，18YG14，2018.12-2021.12, 20万；
3.福建省教育厅中青年项目：高质量自支撑Ga2O3薄膜的制备及特性表征，JAT190693,2020.01-2021.12, 2万；
4.三明学院国家自然科学基金培育基金：CMOS兼容的C波段应力硅探测器的制备及机理研究，PYT2007,2020.12-2023.12, 2万；
5.国家重点实验室开放基金：硅基集成应力硅调制器和探测器的制备及机理研究，2021GZKF001，2021.01-2022.12, 8万；
6.福建省自然科学基金面上项目：一阶电光效应硅基调制器的制备及机理研究，2021J01600，2021.08.01-2024.08.01，10万；
7.教育部协同育人项目：硅基光电芯片设计及集成工艺的虚拟仿真，202102391032,2021.12.17-2023.12.16, 2万；
三．学术成果
1.发表SCI论文：
(1)Hongdi Xiao, Haiyan Pei, Jianqiang Liu, Jishi Cui, Bo Jiang, Qingjie Hou, Wenrong Hu; Fabrication, characterization, and photocatalysis of GaN–Ga2O3 core-shell nanoparticles[J].Materials Letters,71 (2012) 145-147.
(2) Hongdi Xiao, Jianqiang Liu, Caina Luan, Ziwu Ji, and Jishi Cui; Structure and growth mechanism of quasi-aligned GaN layer-built nanotowers[J]. Applied Physics Letters 100 (2012) 213101.
(3) Jishi Cui, Hongdi Xiao, Jianqiang Liu, Caina Luan, Ziwu Ji, Haiyan Pei; Morphology and growth mechanism of gallium nitride nanotowers synthesized by metal–organic chemical vapor deposition[J]. Journal of Alloys and Compounds, 563 (2013) 72-76.
(4) Hongdi Xiao ,Jishi Cui, Dezhong Cao, Qingxue Gao, Jianqiang Liu, Jin Ma; Self-standing nanoporous GaN membranes fabricated by UV-assisted electrochemical anodization[J]. Materials Letters, 71(2015) 304-307.
(5)Jishi Cui, Hongdi Xiao, Dezhong Cao, Ziwu Ji, Jin Ma; Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN studied using the Z-scan of Raman spectroscopy[J]. Journal of Alloys and Compounds, 626 (2015) 154-157.
(6) Hangzhou Xu, Hongdi Xiao, Haiyan Pei, Jishi Cui,Wenrong Hu; Photodegradation activity and stability of porous silicon wafers with (100) and (111) oriented crystal planes[J]. Microporous and Mesoporous Materials, 204 (2015) 251–256.
(7) Dezhong Cao, Hongdi Xiao, Hangzhou Xu,Jishi Cui, Qingxue Gao, Haiyan Pei; Enhancing the photocatalytic activity of GaN by electrochemical etching[J]. Materials Research Bulletin, 70 (2015) 881–886.
(8) Zhiping Zhou, Bing Yin, Qingzhong Deng, Xinbai Li, and Jishi Cui, Lowering the energy consumption in silicon photonic devices and systems [Invited][J]. Photonics Research, 2015, 3(5): B28-B46.
(9) Rui Ye,Chao Xu,Xingjun Wang,Jishi Cui,and Zhiping Zhou,Room-temperature near-infrared up-conversion lasing in single-crystal Er-Y chloride silicate nanowires[J]. Scientific Reports, 6 (2016) 34407.
(10) Jishi Cui, Dezhong Cao, Qingxue Gao, Xiaokun Yang, Jianqiang Liu, Jin Ma, Hongdi Xiao, Porosity-induced weakening of piezo response in GaN layers by means of piezoelectric force microscopy[J]. Materials Letters, 208 (2017) 31-34.
(11) Jishi Cui, Zhiping Zhou, High performance Ge-on-Si photodetector with optimized DBR location, Optics Letters, 42 (2017) 5141-5144.
(12) Jishi Cui, Bowen Bai, Fenghe Yang, andZhiping Zhou, Optical saturation characteristics of dual-and single-injection Ge-on-Si photodetectors[J]. Chinese Optics Letters, 2018, v.16(07):82-85.
(13) Jishi Cui, Tiantian Li, Hongmin Chen, Wenjing Cui. High-Performance Microring Resonator Ge-on-Si Photodetectors by Optimizing Absorption Layer Length[J]. IEEE Photonics Journal, 2020, 12(4): 1-8.
(14) Jishi Cui, Tiantian Li, Fenghe Yang, Wenjing Cui, Hongmin Chen. The dual-injection Ge-on-Si photodetectors with high saturation power by optimizing light field distribution[J]. Optics Communications, 2021, 480: 126467.
(15) Jishi Cui, Jianping Zhou, Hongmin Chen, Hongdi Xiao. Effect of Ultraviolet and room lights on porous GaN films using photo-assisted electrochemical etching[J]. Materials Letters, 2021: 130287.
(16) Jishi Cui, Hongmin Chen, Jianping Zhou, Tiantian Li. High Performance Ge-on-Si Photodetector With Optimized Light Field Distribution by Dual-Injection[J]. IEEE Photonics Journal, 2022, 14(2): 1-4.
2.授权发明专利：
（1）发明名称：光波导探测器与光模块，专利号：CN201610113602.7，发明人：费永浩、崔积适、朱以胜；
（2）发明名称：一种用于C波段的应力硅探测器及制作方法，专利号：CN201711267068.6，发明人：周治平、崔积适；
（3）发明名称：一种基于Slot波导的锗探测器及制作方法，专利号：CN201711207688.0，发明人：周治平、崔积适；
（4）美国发明专利：Yonghao Fei, Jishi Cui, and Yisheng Zhu. Optical waveguide detector and optical module. U.S. Patent No. 10,446,707. 15 Oct. 2019.
（5）发明名称：基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备，专利号：ZL201811319994.8，发明人：崔积适，刘持标，邱锦明，陈洪敏；
（6）发明名称：一种电容式光电探测器及制作工艺，专利号：ZL201811253035.0，发明人：崔积适，刘持标，邱锦明，陈洪敏；
（7）发明名称：一种自支撑锗薄膜的制备方法及锗薄膜，专利号：ZL201910088551.0，发明人：崔积适；
（8）发明名称：一种具有电流放大作用的硅光电探测器，专利号：ZL201911176655.3，发明人：崔积适；
（9）发明名称：一种基于石墨烯的光电探测器，专利号：ZL201910614105.9，发明人：崔积适；
（10）发明名称：硅基电光调制器的调制臂长度设置方法及设备，专利号：ZL201811321140.3，发明人：崔积适，刘持标，邱锦明，陈洪敏；
（11）发明名称：一种新型侧向pn结光电探测器，专利号：ZL202010575846.3，发明人：崔积适，王娟，崔文静，陈洪敏；
（12）发明名称：一种光电微环及光电探测器，专利号：ZL202010574928.6，发明人：崔积适；
（13）发明名称：一种新型光电探测器，专利号：ZL202010575950.2，发明人：崔积适；
（14）发明名称：一种新型电容式光电探测器，专利号：ZL202010574763.2，发明人：崔积适；
（15）发明名称：一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器及其制备方法，专利号：ZL202010997856.6，发明人：崔积适；
(信息工程学院/供稿)
